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S6L4016W1M-UI55 4Mb异步低功耗SRAM
- 从 45ns 开始的快速访问时间
- 低功耗 CMOS 典型值 2μA 待机电流
- 完全静态操作 - 无需时钟或刷新
- 三态输出
- 工业温度范围
- 宽电源电压
技术规格
访问时间 Access Time | 55ns |
内存大小 Memory Size | 4Mbit |
组织 Organisation | 256K x 16 |
电源电压 Supply Voltage | 2.3~3.6V |
访问时间 Access Time | 45/55/70ns |
详细描述
Netsol 低功耗 SRAM 使用基于六晶体管单元设计的先进 CMOS 工艺制造。该技术特别适用于电池备份应用,因为数据保持电流非常低。
Netsol 承诺长期供应,这对于设计周期长的工业和专业产品来说通常是一个问题。
The Netsol Low Power SRAM is fabricated using advanced CMOS process based on a six-transistor cell design. This technology is particularly well suited for use in battery backup applications as the data retention current is very low.
Netsol have a commitment to long term supply which is often an issue for industrial and professional products with a long design cycle.