GKI-10194-5G N-Channel 表面贴装MOSFET

  • 低Qg MOSFET 系列
  • 低总栅极电荷,低导通电阻
  • 高速切换
  • 能够进行 4.6V 栅极驱动
  • 应用:DC-DC转换器,同步整流

技术规格

漏-源极电压 Drain Source Voltage 100V
漏极电流 Drain Current 40A
功率 Power 77W
通态电阻 On-state Resistance 0.02Ω
反向恢复时间 Reverse Recovery Time 49ns
总栅极电荷Qg Total Gate Charge Qg 27nC

详细描述

适用于高功率放大器和通用开关应用。

Suitable for high power amplifiers and general switching applications.

规格书和资料

Data Sheet