2SK3199-2G Sanken N-Channel MOSFET管

  • 高压
  • 低栅极输入电容
  • 高速切换
  • TO220 / D2PAK 封装

技术规格

漏-源极电压 Drain Source Voltage 500V
漏极电流 Drain Current 5A
功率 Power 30W
通态电阻 On-state Resistance 1.5Ω
反向恢复时间 Reverse Recovery Time
总栅极电荷Qg Total Gate Charge Qg

详细描述

硅 N-channel MOSFET。适用于高功率放大器和一般开关应用。

Silicon N-channel MOSFET. Suitable for high power amplifiers and general switching applications.

规格书和资料

Data Sheet