为什么要使用 Exicon 横向 MOSFET？

高性能，极其可靠

Exicon 系列横向 MOSFET 专为高性能线性放大器应用而开发。它们能够实现非常高标准的放大、低失真和非常快的转换速率。

完全没有二次击穿和热失控，它们非常可靠。

此外，它们具有许多使它们成为音频放大器的理想选择的特性，例如无需源极或漏极电阻即可共享电流的负温度系数，以及导致音频路径中组件更少的简单驱动要求。

主要特点

• 非常快的压摆率和高带宽导致卓越的音频性能
• Vgs 和负温度匹配良好。系数意味着它们很容易并联并很好地共享电流
• 内置保护二极管，易于驱动（-Z 型除外）
• 无二次故障，坚固可靠

应用

• 高保真放大器
• 乐器放大器
• 专业音频功率放大器
• 有源音箱
• 大功率舵机
• 振动台
• 直线电机驱动器
• 测验设备

使用 Exicon MOSFET 进行设计

Exicon MOSFET 系列包括具有 200V 和 250V 击穿电压的互补 n 沟道和 p 沟道横向 MOSFET。它们提供单和双版本的 TO247、TO264 和 TO3 外壳样式。

作为快速指南，Exicon MOSFET 适用于每通道 30W 至 5,000W 范围内的放大器。

计算使用多少设备来实现指定的输出功率将取决于许多因素。实际上，在 AB 类模式下工作时，通常每对 MOSFET 的输出功率为 100W 至 150W。然而，今天有许多拓扑结构在使用，从 A 类到 H 类，并针对不同的负载而设计。因此，有必要进行热和其他限制计算以确保不超过限制。

特征	EXICON MOSFET	垂直 MOSFET	双极晶体管
无二次故障，限制了安全操作区域
针对线性模式进行了优化，因此具有大芯片以实现最大功率处理
阈值匹配良好
负温度系数，因此内在稳定
高电流下增益/跨导稳定
低电流驱动，只需几毫安即可对输入电容进行充电/放电
快速 – 无需充电存储